集成芯片測(cè)試儀器測(cè)試方法

　　集成芯片測(cè)試儀器是在元器件中芯片、半導(dǎo)體、集成電路測(cè)試中使用的，無(wú)錫冠亞的集成芯片測(cè)試儀器在使用的時(shí)候需要注意其測(cè)試方法，爭(zhēng)取更有效的運(yùn)行集成芯片測(cè)試儀器。

　　集成芯片測(cè)試儀器運(yùn)行的時(shí)候按管腳功能圖連接好測(cè)試線(壓控晶振壓控端接地)，置于高低溫箱。集成芯片測(cè)試儀器在-40℃下存放1小時(shí)，開機(jī)測(cè)試起振時(shí)間不大于3秒。集成芯片測(cè)試儀器分別在-40℃、+25℃、+75℃加電各保持一小時(shí)后測(cè)試頻率。集成芯片測(cè)試儀器頻率溫度穩(wěn)定性按下式確定：f-T穩(wěn)定性=±(fmax - fmin)/fmax +fmin)。

　　集成芯片測(cè)試儀器將測(cè)試源、被測(cè)晶振及RM99A相噪測(cè)試儀(連接電腦)通電預(yù)熱半小時(shí)，給晶振的頻率調(diào)諧端提供合適的壓控電壓，將晶振頻率校準(zhǔn)到標(biāo)頻，調(diào)整相噪測(cè)試儀的微調(diào)旋鈕，使儀器的失鎖燈處于關(guān)閉狀態(tài)，且指針?lè)€(wěn)定在0刻度無(wú)抖動(dòng)。此時(shí)可以開始測(cè)試，并在電腦上生成測(cè)試曲線，可直接讀出各點(diǎn)的噪聲值。

　　不同集成芯片測(cè)試儀器的使用方法可能有寫區(qū)別，建議用戶根據(jù)相應(yīng)集成芯片測(cè)試儀器型號(hào)設(shè)備的說(shuō)明書進(jìn)行使用。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除，謝謝。）