微流控芯片測溫測試流程

　　隨著電子芯片的不斷發(fā)展，其測試的結(jié)果以及準(zhǔn)確性也不斷提高，所以，對于微流控芯片測溫流程還是需要了解清楚才能更好的運行微流控芯片測溫設(shè)備。

　　因為微流控芯片測溫準(zhǔn)確性要求的提高，以及減少測試時間降低測試成本的壓力，傳統(tǒng)的采用測試模式調(diào)節(jié)芯片參數(shù)的缺點變得明顯，當(dāng)芯片在各站點進(jìn)行測試時，每個站點均需開啟測試模式，進(jìn)行參數(shù)校準(zhǔn)，造成測試時間的浪費；其次，通過測試模式進(jìn)行參數(shù)調(diào)節(jié)受芯片掉電的影響，需要嚴(yán)格控制芯片上電及掉電的順序；各站點的測試溫度不同，受測試溫度的影響，達(dá)到同一參數(shù)目標(biāo)值的調(diào)節(jié)代碼存在不同的可能性，當(dāng)采用其中一站的調(diào)節(jié)代碼進(jìn)行鐳射對產(chǎn)品的失效率有一定的影響，這種影響受芯片制造工藝的制約，存在不可控性。

　　微流控芯片測溫時，芯片起測時，芯片內(nèi)部的各項參數(shù)均是默認(rèn)值。受微電子制造工藝的影響，即使在相同的默認(rèn)值下，芯片的各項參數(shù)也處在不同的水平線上。而微小的參數(shù)差異將導(dǎo)致芯片間性能的差異，必須對所有的參數(shù)按照設(shè)計規(guī)則進(jìn)行優(yōu)化校準(zhǔn)，才能保證芯片的良好性能。因此，芯片起測后，先要對芯片各項參數(shù)的目標(biāo)代碼進(jìn)行尋找。

　　芯片的各站點測試的溫度不同，受溫度的影響，各參數(shù)的目標(biāo)代碼存在不同的可能性。當(dāng)采用電編程熔絲在測試站點固化參數(shù)值后，各站點均在該相同的固化代碼下進(jìn)行測量，即使存在參數(shù)值的偏差，也能確保測試的準(zhǔn)確性，提升了產(chǎn)品性能。 芯片參數(shù)僅需要一次性固化，有效的避免了傳統(tǒng)方法下多次寫入造成的測試時間浪費的，并且在測試的過程當(dāng)中固化芯片參數(shù)，可以省略后續(xù)鐳射機臺的使用，縮短了測試周期。

微流控芯片測溫測試結(jié)果有利于各個芯片的結(jié)果準(zhǔn)確性，調(diào)整芯片的各項參數(shù)，及時有效的降低企業(yè)運行成本。

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